北京大学正大步迈入后硅时代与埃米级（Ångström）半导体领域。该校研究团队近日在《自然》杂志发表论文，宣布成功研制全球首颗二维低功耗全环绕栅场效应晶体管，这项由彭海林教授、邱晨光教授领衔的跨学科成果，被团队成员称为 里程碑式突破 。
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彭海琳团队合影（右一为彭海琳）
技术核心：从 硅基捷径 到 二维换道
北大团队制备出论文所述的 晶圆级多层堆叠单晶二维全环绕栅结构 。何为二维环栅晶体管？顾名思义，“二维”指二维半导体材料、“环栅”表示栅极全环绕包围半导体沟道的结构。二维环栅晶体管是未来集成电路芯片功耗缩放与性能释放的最优解之一，这已成为学术界和工业界的共识。彭海林在接受《南华早报》采访时强调： 这是史上速度最快、效率最高的晶体管。若将基于现有材料的芯片创新比作 走捷径 ，我们的二维材料晶体管研发则是 换道超车 。
团队测试显示，该晶体管在相同工况下性能超越英特尔、台积电、三星等厂商的同类产品。要理解这项突破，需从GAAFET 技术演进说起：
· MOSFET（平面栅）：栅极仅控制源极单平面
· FINFET（鳍式栅）：栅极包裹源极三平面
· GAAFET（全环绕栅）：栅极 360° 包围源极（如三星 MBCFET 技术）
作为 3 纳米及以下制程的核心技术，GAAFET 并非新概念。北大的革命性在于用二维材料替代硅基—— 选用的 ** 硒氧化铋（Bi₂O₂Se）** 是近年研究热点，其原子级厚度（~1 纳米）不仅解决了硅基 10 纳米以下载流子迁移率衰减问题，还兼具柔性与稳定性。
从硅到铋：中国半导体的 破局之路
这项堆叠二维晶体管的突破，对中国半导体产业意义非凡。它能够绕过光刻机封锁，因受美国芯片禁令影响，中国无法获取支撑 7nm 以下制程的EUV光刻机，而二维材料晶体管可通过材料创新跳过传统光刻路径，实现埃米级（1Å=0.1nm）精度。
并且，论文指出，铋基材料在 1nm 以下节点的性能潜力，或使中国在制程竞赛中 弯道超车 ，而非单纯追赶。
值得注意的是，团队特别提到技术的量产可行性——其晶圆级制备工艺兼容现有产线，无需重建基础设施，这为从实验室到产业化缩短了周期。
中美技术博弈下的 时间赛跑
随着美国考虑扩大对 GAAFET 技术的出口管制，中国科研团队正与 技术冷战 赛跑。当西方试图用禁令筑起高墙，我们选择在材料维度开辟新战场。二维半导体不仅是技术突破，更是战略选择。
尽管 2D GAAFET 未必是未来主流，但这项研究标志着中国青年科研群体的创新锐气 —— 在芯片战争的硝烟中，他们用铋原子级的突破，为半导体产业写下 另一种可能 。（技术细节基于《自然》论文及北大官网声明）
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