台积电将在美国生产30%的2nm和更先进的芯片

内容摘要台积电管理层在周四的公司财报电话会议上透露,该公司计划在美国生产其 30% 的 N2(2 纳米级)产品,并将其 Fab 21 工厂设在亚利桑那州凤凰城附近,这是一个独立的半导体制造集群。这家全球最大的芯片合同制造商还表示,打算加快构建新的

台积电管理层在周四的公司财报电话会议上透露,该公司计划在美国生产其 30% 的 N2(2 纳米级)产品,并将其 Fab 21 工厂设在亚利桑那州凤凰城附近,这是一个独立的半导体制造集群。这家全球最大的芯片合同制造商还表示,打算加快构建新的 Fab 21 模块,以生产 N3(3 纳米级)、N2 和 A16(1.6 纳米级)节点上的芯片。

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“完成后,我们约 30% 的 2nm 和更先进的产能将位于亚利桑那州,在美国创建一个独立的领先半导体制造集群,”台积电首席执行官兼董事长 C.C. Wei 在准备好的讲话中说。“它还将创造更大的规模经济,并有助于在美国建立更完整的半导体供应链生态系统。”

为了在亚利桑那州生产 30% 的 N2 和 A16 产品,台积电将再建造两个 Fab 21 模块。到目前为止,该公司已确认计划在台湾新竹和高雄科学园区建造至少三个支持 N2 和 A16 的晶圆厂模块,并有更多模块进来,因此该岛仍将生产台积电大部分先进芯片。然而,台积电 30% 的 N2 和 A16 芯片在美国生产无疑是一件大事。

台积电位于亚利桑那州的 Fab 21 模块 1 目前正在使用该公司的 N4 和 N5 工艺技术为其美国客户提高芯片的批量生产。该公司具有 N3 功能的 Fab 21 模块 2(其在亚利桑那州的第二个制造工厂)的建设已经完成,该公司正在努力提前开始在那里安装设备,以期将该工厂的芯片批量生产至少比最初模糊的 2028 年时间表提前几个季度。

Fab 21 模块 3 和 4 模块(该公司将使用 N2 和 A16 节点的设施)预计将于今年晚些时候开始建设,前提是获得所有必需的许可。台积电没有透露这些 Fab 21 组件的时间表,但如果有理由预期其中至少一个组件将在 2029 年初上线,前提是台积电按时获得所有必要的设备。

台积电的 Fab 21 模块 5 和模块 6 将使用 A16 以外的工艺技术(想想 A14 甚至可能更先进),但它们的建设时间表和产量将取决于未来的客户需求。

TSMS 对 Fab 21 的宏伟计划是将其发展成一个 GigaFab 集群,每月至少开始生产 100,000 片晶圆,但具体何时发生还有待观察。

“我们的扩张计划将使台积电能够扩展到 GigaFab 集群,以支持我们领先客户在智能手机、AI 和 HPC 应用方面的需求,”Wei 补充道。

 
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