对标国际主流品牌,长晶科技IGBT国产化突围

内容摘要据Yole分析及行业研究机构预测,2025年中国IGBT市场规模达458亿元。时至今日,英飞凌、安森美等国际巨头仍占据着全球超过50%的市场份额,其中新能源汽车、光伏储能等高端应用领域占比远超国内品牌。如今,一家成立仅7年的中国功率半导体企

据Yole分析及行业研究机构预测,2025年中国IGBT市场规模达458亿元。时至今日,英飞凌、安森美等国际巨头仍占据着全球超过50%的市场份额,其中新能源汽车、光伏储能等高端应用领域占比远超国内品牌。如今,一家成立仅7年的中国功率半导体企业——江苏长晶科技股份有限公司(下称“长晶科技”),推出FST3.0 IGBT产品,以对标国际主流品牌最新代次产品性能参数的硬实力,实现高端应用行业对国际巨头追赶与迫近。

国产化突围攻坚克难

IGBT(绝缘栅双极晶体管)被誉为电力电子行业的“工业CPU”。随着全球能源结构的转型和新能源汽车市场的迅猛发展,新能源应用IGBT市场需求呈现出爆发式增长的趋势,广泛覆盖电动汽车、光伏储能、充电桩等多个应用场景。

长久以来,海外半导体公司凭借长期积累的技术壁垒和市场垄断优势,攫取了高端元器件领域的丰厚利润,也使得相关关键核心技术领域的国产化突围显得尤为紧迫。如何抢占市场需求快速增涨的风口打破这种局面,实现民族半导体产业的弯道超车,需要材料研究、产品设计、工艺制程等全方位的创新升级。

IGBT是功率器件,按照工艺制程的分类来说属于成熟制程产品,国内的自主产业链体系已经实现了从设备、材料到产品、应用的覆盖,是整个半导体行业里,有可能最快实现完全国产化突围的细分领域。

长晶科技的IGBT系列产品,从产品定义阶段,就对标国际最先进的工艺和工程技术,结合不同应用场景需求,开展自主研发设计工艺平台优化和产品持续迭代,实现IGBT系列产品的快速推出和不断创新。

据了解,长晶科技最新一代IGBT系列产品最关键的挑战在于高短路和高输出特性之间的兼顾。随着IGBT产品的发展,其功率密度越来越高,相同电流下芯片越来越小,而IGBT在很多情况下需要高短路能力,这就需要其自身通过控制短路电流、增大热容等方式降低器件发热。但这些措施会导致IGBT在正常的大电流应用下出现导通电压增大、开关损耗增加的情况,从而导致应用温升增加,降低产品可靠性。

长晶科技对IGBT的结构进行了特殊化处理,采用创新的正面结构设计以及特色背面工艺,既压制了产品短路时短路电流的能力,满足应用端的短路需求,又保证了在超出正常应用电流至少0.5倍的情况下,产品各项参数都能满足高输出特性的需求。

正是技术人员日复一日、孜孜不倦地调试参数、优化结构,才突破了一个又一个技术瓶颈;而车规级模块的百万次可靠性测试更体现了长晶人对于产品精益求精、一丝不苟的执着,才能让国产IGBT产品从实验室参数领先,一步步迈向量产性能的优异表现。

通过全产业链的自主掌控,长晶科技实现了从芯片设计到封装测试的高度自主创新能力。其最新发布的最新一代FST3.0 IGBT产品采用了微沟槽栅(1.6μm Pitch)和场终止技术,显著提高了载流子密度,降低了通态损耗和开关损耗,达到国际主流品牌最新代次水平,取得了参与高端应用市场竞争的入场券。

以新能源汽车市场为例,用户对动力、续航提升这两项互斥需求现状下,作为电机驱动能量转换、控制器的IGBT需要更高的转换效率。长晶FST3.0系列产品,相较上一代产品损耗可降低逾10%,有效提升电能转换效率。相较新能源汽车单体几十kWh电池电量,MW、GW级光伏、储能电站的电能效率每提升千分之一即可节省大量电能,增加电厂的经济效益,长晶FST3.0系列产品在这类应用验证结果显示均能有效提升电能转换效率。

相较于国内外其他主流品牌产品,长晶科技针对光伏逆变和变频器的应用开发了具备不同参数性能倾向的系列产品,使长晶IGBT能够匹配不同的应用需求,这样客户端在使用时能够更充分利用IGBT的性能,降低发热和应用过程的杂波等问题,使终端设备可靠性更高、失效率更低。

与此同时,长晶科技正在积极筹备FST4.0代次IGBT产品开发,与战略用户协作开展芯片、封装的预研工作,紧密围绕行业需求,以主动创新的姿态走在产业链更新的前列。

“创造世界一流半导体品牌”

尽管经过多年年的市场培育,终端用户对国产品牌的接受度逐年提高,但在高功率密度、高性能、高可靠性功率器件产品领域,国际品牌通过其工艺经验积累及行业应用理解,依然保持着在技术和市场方面对国产品牌的领先优势。

因此,长晶科技作为一家成立于2018年的公司,在IGBT领域得到市场的认可并不容易。“近5年国产IGBT FAB的工艺平台逐步缩小了与国际品牌的差距,平台的进步对国产IGBT企业提供了追赶的基础,同时对企业研发团队的能力提出了更高的要求,这不止局限于设计能力,更涵盖了研发团队对制程工艺的经验积累与理解。”面对国际巨头的价格战与技术封锁,长晶科技的技术人员这样说。

长晶科技的IGBT目前仍以国内销售为主,已在多家Tier1储能品牌进行产品验证试产,2025年Q1新增2家头部客户进行测试评估以替换国际品牌。

截至2024年,电力APF/SVG行业仍以80A以下单管为主,长晶科技推出的120A以上单管正在改变客户使用习惯,预计将在2025-2026年形成大批量切换。海外方面,尽管海外客户对于中国品牌IGBT认知尚少,加之系统设计相对国内更为保守,但经过1年的市场宣导及欧洲客户的现场交流,在2025年Q1已陆续收到3家欧洲客户送样测试需求。

回想成立之初,长晶科技是一家不到150人的研发、销售型半导体公司,而今,已逐步发展成为拥有从产品设计,到晶圆制造、封装测试完整产业链的综合型半导体公司,是国家级专精特新“小巨人”企业;在南京、深圳、上海、无锡、台湾等地设立研发中心,吸纳引进全球优秀半导体人才,集团总人数现已超过1800人。目前,长晶科技拥有相关核心技术发明专利76件,实用新型148件,集成电路布图设计登记103件。

如今,以实现我国功率半导体领域关键核心技术的自主可控为己任,长晶科技始终致力于构建企业核心竞争力,不断强化品质、性能和技术优势。2020年-2024年,公司连续被中国半导体行业协会评为“中国半导体行业功率器件十强企业”。与此同时, 长晶科技也正积极布局海外市场,努力提升中国半导体品牌全球影响力,凭借全球化的视野、全球领先的研发和供应链能力,借势国内战略新兴产业领域的快速发展和头部终端用户的合作与认可,加速提升在高端半导体器件领域的国际竞争力,努力“创造世界一流的半导体品牌”!

 
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